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Modeling for V-O2 reactive sputtering process using a pulsed power supply
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 分类：TP333.3[自动化与计算机技术—计算机系统结构;自动化与计算机技术—计算机科学与技术] TN304.21[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu 610054, China, [2]'Center for Plasma Material Interaction, Department of Nuclear, Plasma and Radiological Engineering,
  • 相关基金：Project partially supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant Nos. 61071032, 61377063, and 61235006）.
作者： Wang Tao[1], Yu He[1], Dong Xiang[1], Jiang Ya-Dong[1], Chen Chao[1], Wu Ro-Land[2]
关键词： 直流反应溅射, 脉冲电源, 溅射工艺, 建模, 时间变化, 脉冲频率, 组合物, 氧化钒, time-dependent model, pulsed DC reactive sputtering, film composition, duty cycle
中文摘要：

Corresponding author. E-mail： wtwh@uestc.edu.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406