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采用新结构与新工艺降低SiGe HBT基区串联电阻
  • ISSN号：1000-3819
  • 期刊名称：固体电子学研究与进展
  • 时间：0
  • 作者或编辑：3448
  • 第一作者所属机构：北京工业大学
  • 页码：Vol.25, No.2:255-259
  • 语言：中文
  • 相关项目：基于绝缘衬底的SiGe微波双极功率器件的研究
作者： 史辰|杨维明|刘素娟|徐晨|陈建新|
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期刊信息
  • 《固体电子学研究与进展》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:南京电子器件研究所
  • 主编：杨乃彬
  • 地址：南京中山东路524号(南京160信箱43分箱)
  • 邮编：210016
  • 邮箱：gtdz@chinajournal.net.cn
  • 电话：025-86858161
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-3819
  • 国内统一刊号：ISSN：32-1110/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵双效期刊,江苏省第六届优秀期刊,工信部09-10年期刊编辑质量优秀奖
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:2461