中文摘要：

本项目主要研究内容为硅基高阻抗衬底或SOI衬底上SiGe HBT的材料生长、器件设计和制备工艺。已基本掌握硅基高阻抗衬底上SiGe HBT材料的生长方法，并已生长出合格的SiGe基片。建立了SiGe HBT双口网络模型，并在此基础上编写出可视化且具有实时参数调整功能的频率特性模拟软件，便于器件结构的设计和优化。理论分析、设计并制备得到基区具有高Ge组分空穴量子阱结构的SiGe HBT，使室温下基区等效横向电导率较常规结构基区提高42%。已设计、开发并基本掌握了以掩埋金属自对准工艺和基于高阻抗衬底或SOI衬底的岛型隔离方法为主要内容的SiGe HBT器件制备工艺流程，在不提高光刻设备精度和不提高工艺难度的前提下，有效减小了结面积，增大了金属-半导体接触面积，并得到具有可靠的直流隔离和高效的交流隔离性能的隔离结构。在上述研究的基础上，制备得到fT达到4.68GHz、fm为1.32GHz、输出功率0.7W的6单胞高频功率SiGe HBT器件。中文核心期刊已录用科技论文3篇。培养博士1名、硕士2名。