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新型忆阻器PSPICE的建模仿真及或门电路应用
  • ISSN号:1006-7191
  • 期刊名称:《金属学报:英文版》
  • 时间:0
  • 分类:TN606[电子电信—电路与系统]
  • 作者机构:[1]天津职业技术师范大学电子工程学院,天津300222, [2]天津职业技术师范大学机械工程学院,天津300222
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(51501130);天津市高等学校创新团队培养计划资助项目(TD12-5043);天津市应用基础与前沿技术研究计划重点项目(15JCZDJC39700);天津市科技特派员项目(16JCTPJC49500);天津职业技术师范大学人才计划资助项目(RC14-53).
中文摘要:

针对基于忆阻器的建模及利用忆阻器构建逻辑电路这一研究难点和热点,本文通过新的PSPICE仿真程序语句构造了忆阻器的内部结构,介绍了忆阻器子电路模块的构建及形成元器件的步骤,并连接于电路中进行仿真,验证忆阻器的特性;同时,利用该忆阻器构造或门电路,并对其进行了仿真验证。

英文摘要:

In order to the research hotspots and difficulities that is the modeling of memristor and the construction of logic circuit with memristor, the internal structure of memristor is described by the PSPICE statement, and the memory model is constructed through using the subeireuit in this paper. The simulation results show that the device has the typical character- istics of memristor. Furthermore, OR gate circuit has been constructed based on the memristor and the simulation waveform has proved the realization of OR gate logic function.

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期刊信息
  • 《金属学报:英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科协
  • 主办单位:中国金属学会
  • 主编:
  • 地址:沈阳文华路72号
  • 邮编:110016
  • 邮箱:jsxb@imr.ac.cn
  • 电话:024-23971286
  • 国际标准刊号:ISSN:1006-7191
  • 国内统一刊号:ISSN:21-1361/TG
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