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氧气含量对射频磁控溅射方法制备的NiO∶Cu/ZnO异质pn结的光电性能的影响
  • ISSN号:1000-7032
  • 期刊名称:《发光学报》
  • 时间:0
  • 分类:O484.4[理学—固体物理;理学—物理] TB303[一般工业技术—材料科学与工程]
  • 作者机构:[1]天津职业技术师范大学电子工程学院,天津300222, [2]天津职业技术师范大学天津市高速切削与精密加工重点实验室,天津300222, [3]东京理科大学物理系,日本东京
  • 相关基金:天津职业技术师范大学人才计划(RC14-53;RC14-54); 天津市高等学校创新团队培养计划(TD12-5043); 国家自然科学基金(51501130;51301181)资助项目
中文摘要:

利用磁控溅射方法改变氧气含量制备了一系列NiO∶Cu/ZnO异质pn结。实验结果表明,氧含量对NiO∶Cu/ZnO异质pn结电学影响很大。相对于纯氩溅射,引入一定氧气(O2/(Ar+O2)比例为30%)后,NiO∶Cu/ZnO异质pn结的整流特性明显得到改善。与此同时,NiO∶Cu/ZnO异质pn结的光透过率也从40%增大到80%。这可能是由于氧气的轻量引入致使NiO∶Cu/ZnO异质pn结的结晶得到改善,薄膜内缺陷减少所致。进一步提高氧气含量,直到O2/(Ar+O2)比例至80%后,异质结的整流特性有所削弱,这可能是由于过多氧气的引入造成薄膜缺陷再次增多,进而影响到异质结的整流特性。这一结论得到了EDS、XRD、AFM和UV结果的支持。

英文摘要:

Ni O∶ Cu / Zn O pn heterojunctions with different oxygen concentration were fabricated by magnetron sputtering technology. The rectifying characteristics of Ni O ∶ Cu / Zn O pn heterojunctions have been improved with the O_2/( Ar + O_2) ratio from 0% to 30%,where the average optical transmittance increases from 40% to 80% in the visible range,which may be explained by the improved crystallization due to the reduced defects. When the oxygen partial pressure increases to 80%,the rectifying property is depressed again because of introducing more oxygen into the sample and the appearance of more defects. These results are also evidenced by EDS,XRD,AFM and UV results.

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期刊信息
  • 《发光学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会发光分会 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 主编:申德振
  • 地址:长春市东南湖大路3888号
  • 邮编:130033
  • 邮箱:fgxbt@126.com
  • 电话:0431-86176862
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-7032
  • 国内统一刊号:ISSN:22-1116/O4
  • 邮发代号:12-312
  • 获奖情况:
  • 物理学类核心期刊,2000年获中国科学院优秀期刊二等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:7320