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硅基微纳光子器件制备工艺问题及解决方案

期刊名称：陈少武屠晓光余和军樊中朝徐学俊余金中，“硅基微纳光子器件制备工艺问题及解决方案”，半导体学
时间：0
分类：TN256[电子电信—物理电子学]
作者机构：[1]中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083
相关基金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60577044)
相关项目：基于亚波长波导的新型硅基MOS电光调制特性研究

关键词：硅基微纳光子器件, 电子束/光学邻近效应, ICP-RIE刻蚀, 光波导侧壁粗糙度, CVD

中文摘要：

讨论了硅基微纳光子器件制备过程中涉及的几个关键工艺问题,包括:电子束/光学光刻的电子束/光学邻近效应;纳米线光波导ICP-RIE刻蚀的侧壁粗糙问题;光栅及MOS绝缘栅氧化硅填充致密度问题.这些问题可影响器件的结构均匀性、波导传输损耗、光栅的散射损耗以及MOS绝缘栅的绝缘性能.在分析实验结果的基础上,提出了一些解决方案.

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