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A new level-shifting structure with multiply metal rings by divided RESURF technique
  • 时间：0
  • 分类：TN873.94[电子电信—信息与通信工程] O151.21[理学—数学;理学—基础数学]
  • 作者机构：[1]State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （No. 50777005）.
  • 相关项目：新颖“与CMOS/BiCMOS工艺全兼容的集成肖特基二极管”
关键词： 位移结构, RF技术, 金属环, 电平转换电路, 栅极驱动器, 水, 电压差, 电气性能, level-shifting, divided RESURF, multiple metal rings
中文摘要：

Corresponding author. Email： jzhliu@uestc.edu.cn

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