欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Numerical Modeling of Gas Flow in Atomic Layer Deposition (ALD) Process: a Comparative Study of Latt
ISSN号:0022-5355
期刊名称:Journal of Vacuum Science and Technology
时间:2014
页码:-
相关项目:多尺度多场耦合的纳米TiO2薄膜制备精确能量模型研究
作者:
Dongqing Pan|Tao li|Tien Chien Jen|Chris yuan|
同期刊论文项目
多尺度多场耦合的纳米TiO2薄膜制备精确能量模型研究
期刊论文 6
会议论文 6
同项目期刊论文
Numerical modeling of carrier gas flow in atomic layer deposition vacuum reactor: A comparative stud
Energy and exergy analyses of atomic layer deposition of Al2O3 nano-film process
Energy and Exergy Analysis of Atomic Layer Deposition of Al2O3 Nano-film Process
LPCVD法制备TiO2纳米薄膜的生命周期评价
LPCVD法制备TiO_2纳米薄膜的生命周期评价