位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Breakdown voltage model and structure realization of thin silicon layer linear variable doping silic
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：Chinese Physics B
  • 时间：0
  • 页码：-
  • 相关项目：SOI高压器件场控体电场降低REBULF理论与新结构
作者： Qiao Ming|Zhuang Xiang|Wu Li-Juan|Zhang Wen-Tong|Wen Heng-Juan|Zhang Bo|Li Zhao-Ji|
同期刊论文项目
SOI高压器件场控体电场降低REBULF理论与新结构
期刊论文 16 会议论文 7 专利 20
同项目期刊论文
A novel TFS-IGBT with a super junction floating layer
Novel high-voltage power lateral MOSFET with adaptive buried electrodes
ESD robustness studies on the double snapback characteristics of an LDMOS with an embedded SCR
A thick SOI UVLD LIGBT on partial membrane
Design of 700 V triple RESURF nLDMOS with low on-resistance
Analysis of the breakdown mechanism for an ultra high voltage high-side thin layer silicon-on-insula
The breakdown mechanism of a high-side pLDMOS based on a thin-layer silicon-on-insulator structure
SOI SJ high voltage device with linear variable doping interface thin silicon layer
A 700 V BCD technology platform for high voltage applications
Analysis of OFF-state and ON-state performance in a silicon-on-insulator power MOSFET with a low-k dielectric trench
A high voltage SOI pLDMOS with a partial interface equipotential floating buried layer
ESD performance of LDMOS with source-bulk layout structure optimization
Impact of parasitic resistance on the ESD robustness of high-voltage devices
期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406