位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Morphological Evolution of a-GaN on r-Sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
  • ISSN号：0256-307X
  • 期刊名称：Chinese Physics Letters
  • 时间：2012.2.2
  • 页码：-
  • 相关项目：非极性ZnO材料的p型掺杂研究
作者： Wang Zhan-Guo|Liu Jian-Ming|Xu Xiao-Qing|Wang Jun|Zhao Gui-Juan|Liu Chang-Bo|Gu Cheng-Yan|Liu Gui-Peng|Wei Hong-Yuan|
同期刊论文项目
非极性ZnO材料的p型掺杂研究
期刊论文 11 专利 3
同项目期刊论文
Energy band alignment of MgO (111)/ZnO (0002) heterojunction determined by X-ray photoelectron spect
Thermal diffusion of nitrogen into ZnO film deposited on InN/sapphire substrate by metal organic che
calculation of discrepancies in measures valence band offsets of heterojunctions with dfferent cryst
Mobility limited by cluster scattering in ternary alloy quantum wires
Growth of a-plane GaN on r-plane sapphire by self-patterned nanoscale epitaxial lateral overgrowth
The Growth of Semi-Polar ZnO (10(1)over-bar1) on Si (111) Substrates Using a Methanol Oxidant by Met
Impact of the misfit dislocations on two-dimensional electron gas mobility in semi-polar AlGaN/GaN h
Design of a three-layer hot-wall horizontal flow MOCVD reactor
Effects of V/III ratio on a-plane GaN epilayers with an InGaN interlayer
期刊信息
  • 《中国物理快报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学院物理研究所、中国物理学会
  • 主编：
  • 地址：北京中关村中国科学院物理研究所内（北京603信箱《中国物理快报》编辑部）
  • 邮编：100080
  • 邮箱：cpl@aphy.iphy.ac.cn
  • 电话：010-82649490 82649024
  • 国际标准刊号：ISSN：0256-307X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1959/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双高”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,美国数学评论（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,英国英国皇家化学学会文摘
  • 被引量:190