中文摘要：

p型ZnO薄膜制备一直是难点，是目前制备ZnO pn结器件的主要障碍。目前对ZnO的p型掺杂主要集中在极性（c面）ZnO上，一直没有得到较好的结果。为了解决这一问题，通过比较非极性GaN和极性GaN的p型掺杂，本项目创造性的提出非极性ZnO的p型掺杂。主要是研究非极性ZnO的生长模式和非极性ZnO的p型掺杂机制，制备高质量高性能的p型ZnO外延薄膜，为研制开发可实用且有产业化推广前景的低成本ZnO基短光波长光电器件奠定理论和技术基础。

结论摘要：

p型ZnO薄膜制备一直是难点，是目前制备ZnO pn结器件的主要障碍。目前对ZnO的p型掺杂主要集中在极性（c面）ZnO上，一直没有得到较好的结果。在本基金的支持下，我们对非极性ZnO的P型掺杂进行了研究。首先对非极性ZnO的生长做了细致得研究，利用MOCVD设备在r面和a面蓝宝石衬底上获得了高质量的非极性ZnO薄膜，并在此基础上，采用多种方法，获得了P型非极性ZnO，并对其进行了微结构研究。为研制开发可实用的ZnO基短光波长光电器件奠定了理论和技术基础。