位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
表面等离激元对氮化硅薄膜中Tb3＋离子荧光寿命的影响
  • ISSN号：1000-7032
  • 期刊名称：发光学报
  • 时间：0
  • 页码：684-688
  • 语言：中文
  • 相关项目：表面等离子共振增强硅基发光研究
作者： 杨德仁|袁志钟|胡翔|程培红|李东升|
同期刊论文项目
表面等离子共振增强硅基发光研究
期刊论文 14 会议论文 2 专利 2
同项目期刊论文
Enhanced electroluminescence of silicon-rich silicon nitride light-emitting devices by NH3 plasma an
SiN_x:Tb~(3+)薄膜中Tb~(3+)与银表面等离激元耦合
Localized surface plasmon enhanced photoluminescence from ZnO films: Extraction direction and emitti
Light emission properties and mechanism of low-temperature prepared amorphous SiNX films. I. Room-te
Light emission properties and mechanism of low-temperature prepared amorphous SiNX films. II. Defect
Effects of defect, carrier concentration and annealing process on the photoluminescence of silicon p
Correlation between luminescence and structural evolution of Si-rich silicon oxide film annealed at
Photoluminescence of Si-rich silicon nitride: Defect-related states and silicon nanoclusters
异构智能群体跟踪控制
Photoluminescence of Tb3+-doped SiNx films with different Si concentrations
Electron-beam-induced current evidence for room-temperature photoluminescence of silicon pn diode
Controllable synthesis of uncapped metal nanoparticle assembly at the air-water interface
表面等离激元对氮化硅薄膜中Tb^3＋离子荧光寿命的影响
期刊信息
  • 《发光学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会发光分会 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 主编：申德振
  • 地址：长春市东南湖大路3888号
  • 邮编：130033
  • 邮箱：fgxbt@126.com
  • 电话：0431-86176862
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-7032
  • 国内统一刊号：ISSN：22-1116/O4
  • 邮发代号:12-312
  • 获奖情况:
  • 物理学类核心期刊,2000年获中国科学院优秀期刊二等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7320