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Mg质量分数及缓冲层对ZnMgO∶Ga薄膜性能的影响
  • ISSN号:1008-973X
  • 期刊名称:浙江大学学报(工学版)
  • 时间:2011.5.5
  • 页码:2050-2054
  • 分类:O484[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]浙江大学材料科学与工程学系,硅材料国家重点实验室,浙江杭州310027
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(50772099); 教育部博士点基金资助项目(J20100007)
  • 相关项目:均匀MgxNi1-xO固溶体的制备及其紫外探测性能研究
中文摘要:

为了解决氧化锌在柔性电子器件应用方面的问题,利用脉冲激光沉积法(PLD)在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)柔性衬底上室温下制备镓掺杂氧化锌(ZnO∶Ga)和镓掺杂Zn1-xMgxO(Zn1-xMgxO∶Ga)透明导电薄膜,采用X射线衍射仪(XRD),扫描电镜,霍尔效应测试仪,紫外-可见光分光光度计对结构和性能进行表征,探讨靶材中镁质量分数对薄膜结构及光电性能的影响,并采用预沉积ZnO无机缓冲层法来改善薄膜样品的性能.研究结果表明,在柔性衬底上通过优化生长参数制备出性能良好的ZnO基透明导电薄膜,通过缓冲层的预沉积可以明显改善薄膜的结构和电学性能,薄膜电阻率最低可至8.27×10-4Ω.cm,在可见光区平均透射率超过70%.

英文摘要:

To solve the problem on ZnO applied in flexible opt-electronic devices,transparent conducting ZnO: Ga and Zn1-xMgxO∶Ga films were deposited on flexible Polyethylene Terephthalate(PET) substrates by Pulsed Laser Deposition.XRD,SEM,Hall effect measurement,and UV-VIS-IR spectrophotometer were used to characterize the films,and the structural,electrical and optical properties of the films with different Mg concentration were studied.Then the method of buffer layer pre-deposition was used to improve the performance of the films.The results show that the ZnO-based transparent conducting thin films were obtained on flexible substrate by PLD method,and the structural,electrical properties of the films were obviously improved by buffer layer pre-deposition.The lowest electrical resistivity of the films we prepared is 8.27×10-4Ω·cm and the transmittance is more than 70% in the visible region.

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期刊信息
  • 《浙江大学学报:工学版》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:教育部
  • 主办单位:浙江大学
  • 主编:岑可法
  • 地址:杭州市浙大路38号
  • 邮编:310027
  • 邮箱:xbgkb@zju.edu.cn
  • 电话:0571-87952273
  • 国际标准刊号:ISSN:1008-973X
  • 国内统一刊号:ISSN:33-1245/T
  • 邮发代号:32-40
  • 获奖情况:
  • 2000年获浙江省科技期刊质量评比二等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),波兰哥白尼索引,德国数学文摘,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版)
  • 被引量:21198