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Ga掺杂透明导电ZnO薄膜的制备及其近红外反射特性研究
  • 项目名称：Ga掺杂透明导电ZnO薄膜的制备及其近红外反射特性研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：50772099
  • 申请代码：E0209
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2008-01-01-2010-12-31
  • 项目负责人：朱丽萍
  • 负责人职称：教授
  • 依托单位：浙江大学
  • 批准年度：2007
中文摘要：

对ZnO薄膜中的等离子体频率进行设计，通过Ga掺杂并结合H等离子处理和原位退火，生长ZnMgO/ZnO/ZnMgO异质结构提高ZnO薄膜中电子浓度实现设计需要的等离子体频率和红外响应。利用磁控溅射技术制备掺镓氧化锌透明导电薄膜和异质结构，通过调节掺杂量和制备工艺控制其导电特性，研究其电子浓度、迁移率与红外反射和吸收之间的关联机制，探明掺镓氧化锌薄膜微结构与薄膜着色、电导以及载流子散射机制之间的复杂关系。本项目通过研究制约电子浓度提高的各种因素，分析薄膜结构调控对近红外反射特性的作用机理，从根本上解决高掺杂浓度时电子浓度受到限制这一问题，从而改善ZnO薄膜的红外性能，为在节能型红外反射玻璃上得到应用奠定基础。

中文主题词： ZnO透明导电薄膜；微结构；异质结构，电子浓度；红外反射率；
成果综合统计
成果类型
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期刊论文
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