位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Quasi-two-dimensional threshold voltage model for junctionless cylindrical surrounding gate metal-ox
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：Chinese Physics B
  • 时间：2013.12.12
  • 页码：018501-
  • 相关项目：高k介质MOS器件共振隧穿低频噪声模型及应用研究
作者： 李聪|庄奕琪|张丽|靳刚|
同期刊论文项目
高k介质MOS器件共振隧穿低频噪声模型及应用研究
期刊论文 17
同项目期刊论文
Analytical model including the fringing-induced barrier lowering effect for a dual-material surround
非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET的解析模型
Analytical threshold voltage model for cylindrical surrounding-gate MOSFET with electrically induced
氮化镓基蓝光发光二极管伽马辐照的1/f噪声表征
Subthreshold Behavior Models for Nanoscale Short-Channel Junctionless Cylindrical Surrounding-Gate M
基于转移矩阵法确定高k介质中泄漏电流共振隧穿机制的存在性
高k栅栈MOSFET共振隧穿模型
基于1/f噪声的NPN晶体管辐照感生电荷的定量分离
准弹道输运纳米MOSFET散粒噪声的抑制研究
Radiation-induced 1/f noise degradation of bipolar linear voltage regulator
具有高线性调谐特性的1．2GHz CMOS频率综合器
Total dose effects on the g–r noise of JFET transistors
Model of radiation-induced gain degradation of NPN bipolar junction transistor at different dose rates
A 0.18μm CMOS single-inductor single-stage quadrature frontend for GNSS receiver
锰钴镍型红外探测器空间环境效应与1/f噪声甄别方法
期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406