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弯曲生长SiC纳米线的TEM表征

ISSN号：1000-6281
期刊名称：《电子显微学报》
时间：0
分类：TQ174.758[化学工程—陶瓷工业;化学工程—硅酸盐工业]
作者机构：[1]北京工业大学固体微结构研究所,北京100022, [2]中国科学院山西煤化所,国家煤炭转化重点实验室,山西太原030001
相关基金：国家973项目（No.2002CB613500）.

作者：张跃飞[1], 韩晓东[1], 郑坤[1], 刘显强[1], 张泽[1], 郝雅娟[2], 郭向云[2]

关键词： Β-SIC, TEM表征, 纳米线, 宽带半导体材料, 生长, 弯曲, 一维纳米材料, 集成电子器件

中文摘要：

由于纳米线/管/棒在力学、电学、光学等方面巨大的潜在应用价值，近年来人们投入了越来越多的兴趣来合成和表征各种一维纳米材料。其中立方结构的β-SiC纳米线帖于其优越的物理、力学性能（如高的硬度、强度、高的抗氧化和腐蚀性能、低的密度和热膨胀系数和高的热转换能力）受到广泛的关注，此外，β-SiC是一种宽带半导体材料，在高温、高频、大功率、高密度集成电子器件等方面具有巨大的应用潜力。

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