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六方柱状SiC纳米线的TEM表征

ISSN号：1000-6281
期刊名称：《电子显微学报》
时间：0
分类：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]
作者机构：[1]北京工业大学固体微结构研究所,北京100022, [2]中国科学院山西煤化所,国家煤炭转化重点实验室,山西太原030001
相关基金：国家973项目（No.2002CB613500）.

作者：郑坤[1], 韩晓东[1], 张跃飞[1], 刘显强[1], 张泽[1], 郝雅娟[2], 郭向云[2]

关键词：纳米线, SIC, TEM表征, 一维纳米材料, 集成电子器件, 柱状, 六方, 电学性能

中文摘要：

自Iijima发现碳纳米管以来，一维纳米材料（纳米管、纳米线、纳米棒、纳米带等）由于优异、有趣的性能，引起了人们极大的兴趣，对各种纳米材料的制备、结构、性能的研究已广泛地开展起来。SiC纳米线由于具有优越的力学、热学、电学性能和高的物理、化学稳定性、热导率、临界击穿电场、电子饱和迁移率等特性，在高温、高频、大功率、高密度集成电子器件等方面具有巨大的应用潜力，也可作为塑料、金属和陶瓷等复合材料的增强相，受到人们密切的关注。

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