位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
An Analgtical Physical Model for Short-channel MOSFETs
  • 期刊名称：Semiconductor Sci & Tech
  • 时间：0
  • 页码：1999，No.10
  • 语言：英文
  • 相关项目：VLSI／ULSI可靠性的监测与模拟
作者： 杨谟华，于奇等|
同期刊论文项目
VLSI／ULSI可靠性的监测与模拟
期刊论文 5
同项目期刊论文
MOS器件热电子退化的电子辐射实验研究
深亚微米MOS器件模型BSIM2及其参数提取
VLSI/ULSI可靠性的监测与模拟
MOSFETs衬底电流模型及参数提取