中文摘要：

该研究基于VLSI可靠性与监测物理，利用所设计的ATE与CAD技术相结合新型手段和移植开发的软件Bert等，进行了包括热电子、TDDB等主要效应在内的可靠性模拟监测。所取得主要研究结果为发展了MOSFET衬底电流与退化/寿命特征参数提取模型，可实观其Ecrit、Lc、H、m和n有效提取，且与实测结果较吻合，优于国外文献报导约20%；可实现电路级热电子退化模拟监测，发现Isub尖峰只出现在Vin上升Vout下降转换期极窄范围内，且其寿命τ随Vds变化极大，导出了短沟MOSVth和Ids解析物理模型；提出了一种抗热电子退化效应新型CMOS电路结构；获得了一系列供IC可靠性评价用实验数据。课题组圆满完成了该研究，它将有助于突破IC持续发展技术约束，并为控制提高VLSI性能提供强有力技术支持。