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Pr掺杂对ZnO透明导电薄膜光电性能的影响
  • ISSN号:1005-023X
  • 期刊名称:材料导报
  • 时间:2015
  • 页码:11-15
  • 分类:TN304[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]安徽工业大学数理科学与工程学院、光电信息材料与技术研究所,马鞍山243032
  • 相关基金:国家自然科学基金(51202005;21473091);安徽省教育厅高等学校省级自然科学重点研究项目(KJ2011A053);中国科学院新型薄膜太阳能电池重点实验室开放研究基金(KF201101);国家级大学生创新创业训练计划(201310360095)
  • 相关项目:夹层对MxIn4Se3-δ化合物热电性能的影响与机理研究
中文摘要:

采用溶胶-凝胶法在石英玻璃基片上制备出了Pr掺杂ZnO透明导电薄膜,研究了Pr掺杂对ZnO透明导电薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响。实验结果表明,Zn1-xPrxO薄膜均为纤锌矿结构,当Pr掺杂含量为1%时,Zn1-xPrxO薄膜的结晶质量最好、可见光平均透过率最高、电阻率最低,具有最佳的光电综合性能。

英文摘要:

Pr-doped ZnO transparent conducting thin films were deposited onto quartz substrates by sol-gel pro- cessing. The effect of Pr doping on structure, morphology, optical and electrical properties of ZnO thin films were in- vestigated. The results show that the crystal structure of Znl-xPrxO films was wurtzite structure. The sample pre- pared with Pr content of 1% possessed the highest optoelectrical performance, with the best crystalline quality, the lowest electrical resistivity, and the highest average visible transmittance.

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期刊信息
  • 《材料导报:纳米与新材料专辑》
  • 主管单位:重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
  • 主办单位:重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
  • 主编:
  • 地址:重庆市渝北区洪湖西路18号
  • 邮编:401121
  • 邮箱:matreved@163.com
  • 电话:023-67398525
  • 国际标准刊号:ISSN:1005-023X
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1078/TB
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  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:3397