重点论述了在P-Si基底上通过真空沉积技术制备PTCDA/P-Si光电探测器的制备工艺和光电性能.所制备的PTCDA/P-SI有机光电探测器具有良好的稳定性及可靠性,总体性能高于进口的无机半导体光电探测器.