欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Mechanisms of infrared photoluminescence in HgTe/HgCdTe superlattice
ISSN号:0021-8979
期刊名称:Journal of Applied Physics
时间:2012.9.15
页码:0635121-0635128
相关项目:InAs/GaSb超晶格红外探测材料的调制光谱研究
作者:
Lu, Wei|Tsen, G. K. O.|Guo, Shaoling|Dell, J. M.|
同期刊论文项目
InAs/GaSb超晶格红外探测材料的调制光谱研究
期刊论文 13
会议论文 4
同项目期刊论文
Shallow-terrace-like interface in dilute-bismuth GaSb/AlGaSb single quantum wells evidenced by photo
Interface effect on structural and optical properties of type II InAs/GaSb superlattices
Infrared photoreflectance investigation of resonant levels and band edge structure in InSb
Photoluminescence probing of interface evolution with annealing in InGa(N)As/GaAs single quantum wel
Influence of local magnetization on acceptor-bound complex state in Hg1-xMnxTe single crystals
掺砷碲镉汞的研究进展