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高介电常数材料成为纳米级MOS晶
  • 期刊名称：《半导体技术》，2008.2
  • 时间：0
  • 相关项目：扩散阻挡层对铜互连内质量输运机制的影响- - 用户条件下的晶
作者： 翁妍，汪辉
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