位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
GISAXS and ATR-FTIR studies on stress-induced microstructure evolution of a-Si:H under H2 plasma exp
  • ISSN号：0256-307X
  • 期刊名称：Chinese Physics Letters
  • 时间：2012
  • 页码：106801-
  • 相关项目：实现界面钝化的单晶硅/非晶硅纳米线异质结太阳电池研究
作者： Zewen Zuo|Guanglei Cui|Yu Wang|Junzhuan Wang|Lin Pu|Yi Shi|
同期刊论文项目
实现界面钝化的单晶硅/非晶硅纳米线异质结太阳电池研究
期刊论文 10
同项目期刊论文
High rate deposition of microcrystalline silicon films using jet-type inductively coupled plasma che
Fabrication and photocatalytic properties of silicon nanowires by metal-assisted chemical etching: e
Volume dependence of thermodynamic properties for solids at high temperatures
Gold-thickness-dependent Schottky barrier height for charge transfer in metal-assisted chemical etch
A new simple model on the volume and pressure dependence of thermal expansivity for sodium chloride
Substrate-thickness dependence of hydrogenated microcrystalline silicon nucleation rate on amorphous
等厚干涉法测量薄膜厚度的两种方法
期刊信息
  • 《中国物理快报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学院物理研究所、中国物理学会
  • 主编：
  • 地址：北京中关村中国科学院物理研究所内（北京603信箱《中国物理快报》编辑部）
  • 邮编：100080
  • 邮箱：cpl@aphy.iphy.ac.cn
  • 电话：010-82649490 82649024
  • 国际标准刊号：ISSN：0256-307X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1959/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双高”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,美国数学评论（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,英国英国皇家化学学会文摘
  • 被引量:190