欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
A Universal Electron Mobility
时间:0
相关项目:下一代超高速应变硅MOS器件与集成电路基础研究
作者:
Renrong Liang, Debin Li and Ju
同期刊论文项目
下一代超高速应变硅MOS器件与集成电路基础研究
期刊论文 13
会议论文 2
同项目期刊论文
Growth of Ge Layer on Relaxed
Growth and quality evaluation
A new method of fabricating st
Fabrication of strained silico
采用SiGe虚拟衬底高迁移率应变硅材料的制备和表征
〈100〉沟道方向对高迁移率双轴应变硅p-MOSFET的作用
用减压化学气相沉积技术制备应变硅材料
应变硅n-MOSFET中电子迁移率的增强及其温度特性
多层复合结构应变硅材料的生长和特性
Fabrication of High Quality SiGe Virtual Substrates by Combining Misfit Strain and Point Defect Techniques
Growth of Ge Layer on Relaxed Ge-Rich SiGe by Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition