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半绝缘GaAs光电导开关非线性电脉冲超快上升特性研究
  • 期刊名称:物理学报,58(1):477,2009
  • 时间:0
  • 分类:O472.3[理学—半导体物理;理学—物理] TM564[电气工程—电器]
  • 作者机构:[1]西安理工大学物理系,西安710058
  • 相关基金:国家自然科学基金(批准号:50837005,10876026),国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2007CB310406)和西安理工大学优秀博士论文基金资助的课题.
  • 相关项目:高电压高倍增砷化镓光电导开关关键技术研究
中文摘要:

利用流体模型对光生载流子的输运进行了模拟研究,结果表明载流子在输运过程中形成的光激发电荷畴是产生电脉冲超快上升特性的主要原因.对光激发电荷畴的形成和吸收过程的进一步研究表明:1)形成过程中的光激发电荷畴增强了电子的浓度梯度;2)光激发电荷畴在被阳极吸收的过程中,光电导开关偏置电压的快速下降能促进电流上升速度.光激发电荷畴的形成和吸收两大过程共同作用下,形成了电脉冲的超快上升特性.

英文摘要:

In the lock-on model of semi-insulating GaAs photoconductive switches,the output current pulse has ultra-fast rise character,the rise time can be even less than that of the laser pulse.Fluid model is used to simulate the transport of photo-induced carrier.The results show that photo-activated charge domain formed in the transport process of carriers is the main cause of ultra-fast rise time.Further studies on the establishment of photo-activated charge domain and the absorption process show:1.The photo-activated charge domains during the establishment enhance the electron density gradient.2.When the photo-activated charge domains are absorbed by the anode,rapid decline of bias electric voltage will accelerate the rise rate of output current pulse.Due to the two processes,the output current pulse in the lock-on model shows ultra-fast rise character.

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