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氧化物稀磁半导体材料的理论与实验研究进展
  • ISSN号:1005-023X
  • 期刊名称:《材料导报》
  • 时间:0
  • 分类:TN304[电子电信—物理电子学] TQ174.758[化学工程—陶瓷工业;化学工程—硅酸盐工业]
  • 作者机构:[1]北京科技大学物理系,北京100083
  • 相关基金:国家自然科学基金项目(50472092;50672008);教育部博士点专项基金项目(20050008028)
中文摘要:

以氧化物宽禁带半导体为基体,通过掺杂磁性元素,可将非磁性半导体转变成铁磁性半导体,利用这些铁磁性半导体,能将新型的自旋电子器件集成到传统的微电子器件上,构成功能丰富的新型器件。由于稀磁半导体材料在自旋电子学中的重要作用,近年来受到广泛的关注。简要总结了有关氧化物稀磁半导体研究的发展状况;分析了制备条件对其磁性的可能影响;重点介绍了该系统中有关磁性起源的理论模型,包括双交换机制、磁极化子模型、RKKY模型等;比较了2种磁极化子理论模型,并对这些模型的适用范围进行了分析讨论。另外,还介绍了该体系微结构和磁结构的一些检测方法以及与磁性相关的输运性质、反常霍尔效应等。

英文摘要:

Oxide diluted magnetic semiconductors(ODMSs) have attracted a great deal of interest in recent years due to the possibility of inducing nonmagnetic semiconductors into room temperature ferromagnetism by doping magnetic elements. Ferromagnetic semiconductors promise efficient spin injection, transport and potential seamless integration with current semiconductor technology. The research progress of ODMS in experiment and theory is de- scribed in this review. The ferromagnetic mechanisms including double exchange, bound magnetic polaron, RKKY are introduced in detail; the technique for the observation of the microstructural properties of ODMS which is important to understand the origin of ferromagnetism is included; the other two important aspects of ODMS, transport and anomalous Hall effect, are also introduced.

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期刊信息
  • 《材料导报:纳米与新材料专辑》
  • 主管单位:重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
  • 主办单位:重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
  • 主编:
  • 地址:重庆市渝北区洪湖西路18号
  • 邮编:401121
  • 邮箱:matreved@163.com
  • 电话:023-67398525
  • 国际标准刊号:ISSN:1005-023X
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1078/TB
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  • 被引量:3397