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R-plane sapphire substrate for non-polar GaN film
ISSN号:1000-324X
期刊名称:Journal of Inorganic Materials
时间:0
页码:783-786
语言:英文
相关项目:新型中心对称TM(RE):Mn:YAP晶体非局域强光折变效应研究
作者:
Zhou, Guo-Qing|Li, Hong-Jun|Bi, Qun-Yu|Xu, Jun|Yang, Xin-Bo|Su, Liang-Bi|Cheng, Yan|
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期刊信息
《无机材料学报》
北大核心期刊(2011版)
主管单位:中国科学院
主办单位:中国科学院上海硅酸盐所
主编:郭景坤
地址:上海市定西路1295号
邮编:200050
邮箱:wjclxb@mail.sic.ac.cn
电话:021-52411302
国际标准刊号:ISSN:1000-324X
国内统一刊号:ISSN:31-1363/TQ
邮发代号:4-504
获奖情况:
获"中国百种杰出学术期刊"称号
国内外数据库收录:
美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引(扩展库),日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),瑞典开放获取期刊指南,中国北大核心期刊(2000版)
被引量:21274