位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
ZnO-Based Transparent Thin-Film Transistors with MgO Gate Dielectric Grown by in-situ MOCVD
  • ISSN号：0256-307X
  • 期刊名称：Chinese Physics Letters
  • 时间：0
  • 页码：2682-2686
  • 语言：英文
  • 相关项目：ZnO纳米线电注入紫外激光器阵列的研究
作者： Zhao Wang|Zhao Long|Shi Zhi-Feng|Wang Hui|Du Guo-Tong|Chang Yu-Chun|Zhang Bao-Lin|Xia Xiao-Chuan|Wang Jin|Dong Xin|
同期刊论文项目
ZnO纳米线电注入紫外激光器阵列的研究
期刊论文 21 会议论文 19
同项目期刊论文
金属有机化学气相沉积法制备ZnO和ZnO:Ni薄膜及其特性分析
Influence of high-pressure hydrogen treatment on structural and electrical properties of ZnO thin fi
Cu related doublets green band emission in ZnO:Cu thin films
MOCVD法制备Cu掺杂ZnO薄膜
Electroluminescence of the p-ZnO:As/n-ZnO LEDs grown on ITO glass coated with GaAs interlayer
The luminescence of ZnO film grown on GaAs interlayer by PA-MOCVD
Crystalline, Optical and Electrical Properties of NiZnO Thin Films Fabricated by MOCVD
New model for a Pd-doped SnO2-based CO gas sensor and catalyst studied by online in-situ X-ray photo
Effect of MgZnO barrier layer on the UV emission of n-ZnO/p-Si heterojunction diodes
Cu掺杂ZnO的光致发光光谱
MOCVD方法生长ZnO薄膜的XPS分析
NH_3掺杂ZnO薄膜的生长及特性
利用MOCVD技术生长As掺杂的p-ZnMgO薄膜
NH3掺杂ZnO薄膜的生长及特性
基于MOCVD法制备的NiO薄膜结构与光学特性
新型绿色、智能机房环境监测系统开发
期刊信息
  • 《中国物理快报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学院物理研究所、中国物理学会
  • 主编：
  • 地址：北京中关村中国科学院物理研究所内（北京603信箱《中国物理快报》编辑部）
  • 邮编：100080
  • 邮箱：cpl@aphy.iphy.ac.cn
  • 电话：010-82649490 82649024
  • 国际标准刊号：ISSN：0256-307X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1959/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双高”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,美国数学评论（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,英国英国皇家化学学会文摘
  • 被引量:190