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Density functional calculations on atomic and electronic structures of amorphous HfO2/Si(001) interf
  • ISSN号：0003-6951
  • 期刊名称：Applied Physics Letters
  • 时间：0
  • 页码：102905-102907
  • 语言：英文
  • 相关项目：二氧化铪－硅界面和缺陷性质的第一原理研究
作者： Hou, Z. F.|Gong, X. G.|Chen, G. H.|
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