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Energetics and electronic structure of aluminum point defects in HfO2: A first-principles study
  • ISSN号：0021-8979
  • 期刊名称：Journal of Applied Physics
  • 时间：0
  • 页码：014104-014106
  • 语言：英文
  • 相关项目：二氧化铪－硅界面和缺陷性质的第一原理研究
作者： Hou, Z. F.|Gong, X. G.|Li, Quan|
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