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温度及温度梯度对SiC单晶生长的影响
  • ISSN号：1001-9731
  • 期刊名称：《功能材料》
  • 时间：0
  • 分类：O782.7[理学—晶体学]
  • 作者机构：[1]山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100 山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100 山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100 山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100 山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100 山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100 山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100 山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100 山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100 山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100
  • 相关基金：国家863高技术计划资助项目(2001AA311080);国家自然科学基金资助项目(60025409)
作者： 李现祥[1], 李娟[1], 董捷[1], 王丽[1], 姜守振[1], 韩荣江[1], 徐现刚[1], 王继扬[1], 胡小波[1], 蒋民华[1]
关键词： SIC单晶, 温度及温度梯度, 生长速率, 多型, 扩径生长
中文摘要：

利用升华法在高温低压下生长大直径SiC单晶.通过实验发现:在相同的轴向温度梯度下,SiC晶体平均生长速率随籽晶温度的升高而变大.通过减小轴向温度梯度,降低晶体生长界面的径向过饱和度分布,可以抑制多型的生长.通过优化温场的径向温度梯度,利用φ50mm的籽晶进行生长,得到了φ57mm的SiC单晶,实现了晶体的扩径生长.

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期刊信息
  • 《功能材料》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:重庆材料研究院
  • 主办单位:重庆材料研究院
  • 主编：黄伯云
  • 地址：重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
  • 邮编：400707
  • 邮箱：gnclwb@126.com
  • 电话：023-68264739
  • 国际标准刊号：ISSN：1001-9731
  • 国内统一刊号：ISSN：50-1099/TH
  • 邮发代号:78-6
  • 获奖情况:
  • 2008、2011年连续获中国精品科技期刊,2010获重庆市双十佳期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:30166