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A Semi-Floating Gate Transistor for Low-Voltage Ultrafast Memory and Sensing Operation
  • ISSN号：0036-8075
  • 期刊名称：Science
  • 时间：2013.8.9
  • 页码：640-643
  • 相关项目：隧穿场效应晶体管在存储器应用中的探索与研究
作者： Peng Fei Wang|et al.|
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