欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Strain Relaxation Mechanism in
时间:0
相关项目:SiGe-OI新材料的研究
作者:
Zengfeng Di, Anping Huang, Pau
同期刊论文项目
SiGe-OI新材料的研究
期刊论文 13
会议论文 5
获奖 4
同项目期刊论文
Interfacial and Electrical cha
Fabrication and Mechanism of R
Investigation of SOI substrate
Void-free low-temperature sili
Thermal stability of diamondli
Interfacial Characteristics of
Relaxed SiGe-on-Insulator Fabr
Fabrication of silicon-on-SiO2
Thermal annealing effects on t
基于低温键合技术制备SOI材料
薄膜厚埋层SOI材料的新制备技术
Numerical study of self-heating effects of small-size MOSFETs fabricated on silicon-on-aluminum nitride substrate