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基于低温键合技术制备SOI材料
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN386[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所,半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050, 中国科学院研究生院,北京,100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050, 中国科学院研究生院,北京,100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050
  • 相关基金：国家自然科学基金(批准号:60476006和60576014)和上海市重点攻关(批准号:055211001)资助项目
作者： 詹达, 马小波, 刘卫丽, 宋志棠, 封松林
关键词： SOI, 等离子体活化, 键合强度
中文摘要：

通过N+等离子体对Si片以及SiO2片表面活化,进行直接键合,研究了键合强度与退火温度的关系.研究结果表明退火温度从100℃升高到300℃的过程中,键合强度明显加强;高于300℃,键合强度略有增加,但不明显.结合N+等离子体处理技术和Smart-Cut技术制备出SOI结构,顶层硅缺陷密度表征表明在500℃退火后可得到较好的缺陷密度.该研究结果提供了一种SOI低温技术.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754