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Interaction of Gd and N incorporation on the band structure and oxygen vacancies of HfO2 gate diele
  • ISSN号：0031-8957
  • 期刊名称：Physica Status Solidi
  • 时间：2014.8.10
  • 页码：1635-1638
  • 相关项目：铪基稀土高k栅介质外延薄膜的微结构调制及其介电性能研究
作者： Hailing Tu|Jun Du|Ligen Wang|Feng Wei|
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期刊论文 13
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