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Highly Transparent Dysprosium Oxide-Based RRAM With Multilayer Graphene Electrode for Low-Power Nonv
  • ISSN号：0018-9383
  • 期刊名称：IEEE Transactions on Electron Devices
  • 时间：2014.5.14
  • 页码：1388-1393
  • 相关项目：铪基稀土高k栅介质外延薄膜的微结构调制及其介电性能研究
作者： Hongbin Zhao|Hailing Tu|Feng Wei|Jun Du|
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期刊论文 13
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