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Finite element analysis of stress and strain distributions in InAs/GaAs quantum dots
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：O413[理学—理论物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]College of Mechanical & Electrical Engineering, Zhejiang University of Technology, Hangzhou 310032, China, [2]Institute of Functional Materials, Central Iron & Steel Research Institute, Beijing 100081, China, [3]Department of Physics,Tsinghua University, Beijing 100084, China, [4]Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant No 90101004） and by the National Basic Research Program of China （Grant No G2000067102）.
作者： 周旺民[1,2], 王崇愚[2,3], 陈涌海[4], 王占国[4]
关键词： 量子点, 应变应力分布, 应变能, 有限元法, quantum dots, strain and stress distribution, strain energy, finite element method
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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
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  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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