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Ge/Si半导体量子点的应变分布与平衡形态
  • ISSN号:1000-3290
  • 期刊名称:《物理学报》
  • 时间:0
  • 分类:O471.1[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]浙江工业大学机电工程学院,杭州310032
  • 相关基金:国家自然科学基金(批准号:90101004)资助的课题.
中文摘要:

基于各向异性弹性理论的有限元方法,研究了金字塔形自组织Ge/Si半导体量子点应变能随高宽比变化的规律:系统的应变能随着高宽比的增大而逐渐减小,并通过自由能(应变能与表面能之和)讨论了量子点的平衡形态。结果表明,对于固定体积的量子点,存在一个高宽比值,称之为平衡高宽比,使得系统的自由能最低。同时,还给出了量子点的应力、应变、流体静应变及双轴应变分布,这些可以作为阐明应变自组织量子点实验的理论基础。

英文摘要:

The dependence of total strain energy of a pyramidal self-assembled Ge/Si semiconductor quantum dot on the aspect ratio, is investigated. The free energy consisting of the strain energy and surface energy is defined, and used to study the equilibrium shape of the systems. The results show that the strain energy of the system decreases with the increasing aspect ratio, and under the requirement of minimum total free energy, the quantum dot with a given volume will take a particular height-to-width aspect ratio, i. e. the equilibrium aspect ratio. Meanwhile, the distributions of the stress, hydrostatic strain and biaxial strain are presented. These can serve as a basis for interpretation of experiments on strain self-assembled quantum dots.

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期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编:欧阳钟灿
  • 地址:北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编:100190
  • 邮箱:apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话:010-82649026
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-3290
  • 国内统一刊号:ISSN:11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:49876