位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延
  • 期刊名称：Journal of Synthetic Crystals (人工晶体学报), 34 (2005)
  • 时间：0
  • 相关项目：硅基无应变InGa(Al)N/InGaAlN量子阱的研究
作者： 吴洁君，韩修训，李杰民，黎大兵
同期刊论文项目
硅基无应变InGa(Al)N/InGaAlN量子阱的研究
期刊论文 20 会议论文 3
同项目期刊论文
Growth of crack-free GaN films
Influence of the growth temper
Design of the low-temperature
Crack control in GaN grown on
InN nanoflowers grown by metal
Metal-organic vapor phase epit
Depth distribution of the stra
Crack-free InAlGaN quaternary
Effect of critical thickness o
Effect of an indium-doped barr
Alloy compositional fluctuatio
Crack-free GaN/Si(111) epitaxi
InGaAlN 的生长及其微结构研究
Temperature dependence of nano
不同晶面蓝宝石和氧源对ZnO薄膜生长的影响