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不同晶面蓝宝石和氧源对ZnO薄膜生长的影响
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.055[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]中国科学院半导体研究所,材料重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料重点实验室,北京,100083
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60376013,60506002)
作者： 张攀峰[1], 魏鸿源[1], 范海波[1], 丛光伟[1], 杨少延[1], 朱勤生[1], 刘祥林[1]
关键词： ZnO, 蓝宝石, 甲醇, XRD, SEM
中文摘要：

在c面和r面蓝宝石上用氧气和甲醇作为氧源分别沉积了ZnO薄膜.用X射线双晶衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)对ZnO薄膜综合表征.证实了,面蓝宝石的表面能比c面的小,更有利于增原子的迁移,从而实现ZnO的二维生长.发现甲醇作为氧源生长的薄膜晶体质量跟氧气作为氧源的相比有较大提高,这可能源于预反应的减弱和甲醇的表面活化作用.在r面蓝宝石上用甲醇作为氧源生长出了表面平整的ZnO薄膜,其(1012)面的非对称衍射的摇摆曲线半高宽仅0.10.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754