位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
SOI在高压器件中的应用
  • ISSN号：1001-9731
  • 期刊名称：《功能材料》
  • 时间：0
  • 分类：TN386.1[电子电信—物理电子学] O472+.4[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]中国科学院,上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050
  • 相关基金：国家重点基础研究专项经费(G20000365);国家自然科学基金资助项目(90101012);上海市科技发展基金资助项目(0252nm084和0359nm004)
作者： 王石冶[1], 刘卫丽[1], 张苗[1], 林成鲁[1], 宋志棠[1]
关键词： SOI, 高压器, 击穿电压
中文摘要：

综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论.

同期刊论文项目
LiTaO3/Si结构的智能剥离(Smart-cut)研究
期刊论文 2
同项目期刊论文
制备AlN薄膜为绝缘埋层的新型SOI材料
期刊信息
  • 《功能材料》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:重庆材料研究院
  • 主办单位:重庆材料研究院
  • 主编：黄伯云
  • 地址：重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
  • 邮编：400707
  • 邮箱：gnclwb@126.com
  • 电话：023-68264739
  • 国际标准刊号：ISSN：1001-9731
  • 国内统一刊号：ISSN：50-1099/TH
  • 邮发代号:78-6
  • 获奖情况:
  • 2008、2011年连续获中国精品科技期刊,2010获重庆市双十佳期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:30166