中文摘要：

采用离子束增强技术（IBED）在Φ100mm硅片上合成了AlN薄膜。以速率0.05nm/s蒸发高线Al得到AlN样品，XPS结果证实了成功合成了AlN薄膜，其N／Al比为0.618：1，扩展电阻结果表明其绝缘性能良好，原子力显微镜（AFM）显示其表面平整光滑，均方根粗糙度（RMS）为0.13nm，满足键合需要。利用智能剥离技术（Smart-cut process)成功地制备了以AlN薄膜为埋层的SOI（silicon-on-insulator)材料。剖面透射电镜照片（XTEM）给出了此SOI结构，高分辨TEM实验结果表明上层硅具有与衬底硅相似的结晶质量可满足器件制造的要求。