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FDTD优化a—Si：H薄膜太阳电池Si3N4纳米柱陷光结构
  • ISSN号：1671-4776
  • 期刊名称：《微纳电子技术》
  • 时间：0
  • 分类：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]
  • 作者机构：[1]华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室,北京102206
  • 相关基金：National Natural Science Foundation of China(61006050);National High Technology Research and Development Program of China(2011AA050507);Natural Science Foundation of Beijing(2151004);Fundamental Research Funds for the Central Universities in China(13ZD05)
作者： 延玲玲, 白一鸣[1], 刘海[1], 陈吉堃[1], 陈诺夫[1]
关键词： 有限时域差分(FDTD)法, Si3N4纳米柱, 氢化非晶硅薄膜太阳电池, 陷光结构, 吸收增强比
中文摘要：

采用有限时域分析法研究了采用电介质Si3N4纳米柱为氢化非晶硅薄膜太阳电池的陷光结构时，其光吸收增强的情况。实验结果表明，电介质Si3N4纳米柱为氢化非晶硅薄膜太阳电池的陷光结构时，不仅可以增加吸收率和加宽吸收谱范围，而且在短波长范围内的吸收高于金属纳米颗粒。对于80nm和100nm厚的氢化非晶硅薄膜太阳电池，当达到最大吸收增强比1．60和1．53时，对应的电介质Si3N4纳米柱高度分别为90和95nm。当Si3N4纳米柱的直径D：160nm，间距P=240nm，高度H=90nm，而氢化非晶硅薄膜太阳电池的厚度在70-120nm变化时，吸收增强比在厚度为100nm时达到最大值1．60。总之，可以通过优化Si3N4纳米柱的尺寸来提高电池的转换效率。

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期刊信息
  • 《微纳电子技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编：李和委
  • 地址：石家庄市179信箱46分箱
  • 邮编：050002
  • 邮箱：wndz@vip.sina.com
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  • 国际标准刊号：ISSN：1671-4776
  • 国内统一刊号：ISSN：13-1314/TN
  • 邮发代号:18-60
  • 获奖情况:
  • 2002-2003和2003-2004年度，均获信息产业部电子科...,2005-2006年度获信息产业部电子科技期刊学术技术...,中国学术期刊执行（光盘版）检索与评价数据规范优...,2007-2008年度又荣获工业和信息化部电子科技期刊...
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）
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