欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Chemical Vapour Deposition Graphene Radio-Frequency Field-Effect Transistors
ISSN号:0256-307X
期刊名称:Chinese Physics Letters
时间:2012.5.5
页码:-
相关项目:互补型石墨烯场效应晶体管器件研究
作者:
Ma Peng|Jin Zhi|Guo Jian-Nan|Pan Hong-Liang|Liu Xin-Yu|Ye Tian-Chun|Wang Hong|Wang Guan-Zhong|
同期刊论文项目
互补型石墨烯场效应晶体管器件研究
期刊论文 5
专利 5
同项目期刊论文
Wafer-Scale Gigahertz Graphene Field Effect Transistors on SiC Substrates
Top-gated graphene field-effect transistors on SiC substrates
Depressed scattering across grain boundaries in single crystal graphene
Heavily p-type doped chemical vapor deposition graphene field-effect transistor with current saturat
期刊信息
《中国物理快报:英文版》
中国科技核心期刊
主管单位:中国科学院
主办单位:中国科学院物理研究所、中国物理学会
主编:
地址:北京中关村中国科学院物理研究所内(北京603信箱《中国物理快报》编辑部)
邮编:100080
邮箱:cpl@aphy.iphy.ac.cn
电话:010-82649490 82649024
国际标准刊号:ISSN:0256-307X
国内统一刊号:ISSN:11-1959/O4
邮发代号:
获奖情况:
中国期刊方阵“双高”期刊
国内外数据库收录:
美国化学文摘(网络版),美国数学评论(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,英国英国皇家化学学会文摘
被引量:190