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超薄Ru/TaN双层薄膜作为无籽晶铜互连扩散阻挡层
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN304[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室,上海,200433 复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室,上海,200433 复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室,上海,200433 复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室,上海,200433 复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室,上海,200433 复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室,上海,200433
  • 相关基金：国家自然科学基金(批准号:60476010),上海市科技启明星基金(批准号:04QMX1407)及国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB302703)资助项目
作者： 谭晶晶[1], 周觅[1], 陈韬[1], 谢琦[1], 茹国平[1], 屈新萍[1]
关键词： 钌, 氮化钽, 铜互连, 扩散阻挡层
中文摘要：

研究了钌(Ru)/氮化钽(TaN)双层结构对铜的扩散阻挡特性,在Si(100)衬底上用离子束溅射的方法沉积了超薄Ru/TaN以及Cu/Ru/TaN薄膜,在高纯氮气保护下对样品进行快速热退火,用X射线衍射、四探针以及电流-时间测试等表征手段研究了Ru/TaN双层结构薄膜的热稳定性和对铜的扩散阻挡特性.同时还对Ru/TaN结构上的铜进行了直接电镀.实验结果表明Ru/TaN双层结构具有优良的热稳定性和扩散阻挡特性,在无籽晶铜互连工艺中有较好的应用前景.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754