位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
The Effect of Multiple Interface States and nc-Si Dots in a Nc-Si Floating Gate MOS Structure Measur
  • ISSN号：0256-307X
  • 期刊名称：Chinese Physics Letters
  • 时间：2013.2.2
  • 页码：077307-
  • 相关项目：基于纳米硅多层量子点结构的高密度浮栅存储器的构建及特性研究
作者： Shi Yong|Ma Zhong-Yuan|Chen Kun-Ji|Jiang Xiao-Fan|Li Wei|Huang Xin-Fan|Xu Ling|Xu Jun|Feng Duan|
同期刊论文项目
基于纳米硅多层量子点结构的高密度浮栅存储器的构建及特性研究
期刊论文 9 专利 5
同项目期刊论文
Strong blue light emission from a-SiNx:O films via localized surface plasmon enhancement
Improved electroluminescence from nc-Si film embedded in p-i-n structure LED
The Periodicity Effect on the Charge Storage Characteristic of Multistacked nc-Si Floating Gate
Direct observation of resistive switching memories behavior from nc-Si embedded in SiO2 at room temp
纳米银六角阵列在掺氧氮化硅中的局域表面等离激元共振特性仿真
SiOx（x=1.3）薄膜的优化阻变特性与退火温度的关系探究
有序可控纳米银球阵列对a-SiNx∶O薄膜光致发光增强的研究
期刊信息
  • 《中国物理快报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学院物理研究所、中国物理学会
  • 主编：
  • 地址：北京中关村中国科学院物理研究所内（北京603信箱《中国物理快报》编辑部）
  • 邮编：100080
  • 邮箱：cpl@aphy.iphy.ac.cn
  • 电话：010-82649490 82649024
  • 国际标准刊号：ISSN：0256-307X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1959/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双高”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,美国数学评论（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,英国英国皇家化学学会文摘
  • 被引量:190