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The Periodicity Effect on the Charge Storage Characteristic of Multistacked nc-Si Floating Gate
  • ISSN号：1533-4880
  • 期刊名称：Journal of Nanoscience and Nanotechnology
  • 时间：2013.2.2
  • 页码：997-
  • 相关项目：基于纳米硅多层量子点结构的高密度浮栅存储器的构建及特性研究
作者： Feng, Duan|Liu, Guanyuan|Jiang, Xiaofan|Xia, Guoying|Yan, Minyi|Li, Wei|Chen, Kunji|Xu, Ling|Xu, Jun|
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