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Direct observation of resistive switching memories behavior from nc-Si embedded in SiO2 at room temp
  • ISSN号：0022-3093
  • 期刊名称：Journal of Non-Crystalline Solids
  • 时间：2012.9.9
  • 页码：2348-
  • 相关项目：基于纳米硅多层量子点结构的高密度浮栅存储器的构建及特性研究
作者： Xia, Guoyin|Ma, Zhongyuan|Jiang, Xiaofan|Yang, Huafeng|Xu, Jun|Xu, Ling|Li, Wei|Chen, Kunji|Feng, Duan|
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