位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Void-free low-temperature silicon direct-bonding technique using plasma activation
  • 时间：0
  • 相关项目：类金刚石薄膜为绝缘埋层的SOI新材料研究
同期刊论文项目
类金刚石薄膜为绝缘埋层的SOI新材料研究
期刊论文 7 会议论文 2
同项目期刊论文
Fabrication of Silicon – on – SiO2/Diamond-Like Carbon Dual-Insulator Using Ion-Cutting and Mitigat
High Quality SOI Structure Fabricated by Low Temperature Technology with B+/H+ Co-implantation and P
基于低温键合技术制备SOI材料